实验室在宽禁带半导体材料生长、加工机理及工艺研究方向共有科研人员12人，其中研究员级高级工程师2人，高级工程师4人，其中具有博士学位的3人，硕士学位6人。

       在宽禁带半导体材料薄膜生长、物性评价研究方向共有科研人员6人，其中研究员级高级工程师1人，高级工程师2人，其中具有博士学位的2人，硕士学位2人。

       在宽禁带半导体材料核心制造设备研究方向共有科研人员7人，其中研究员级高级工程师1人，高级工程师4人，其中具有硕士学位3人。