本实验室结合国际国内科学和技术的发展趋势，面向我省国民经济和社会发展的迫切需要，开展应用基础研究和竞争前共性关键技术研究。结合国内省内需求、国内外发展趋势及现有基础，确立重点实验室的研究方向如下：

1）宽禁带半导体材料生长、加工机理及工艺：包括SiC粉料制备机理及工艺；单晶生长、掺杂、缺陷形成、本征深能级点缺陷形成机理及工艺控制；超精密高平坦化加工机理及工艺控制；GaN、AlN单晶生长研究；

2）宽禁带半导体材料薄膜生长、物性评价：包括外延生长机制和模型；外延的热力学、动力学过程；掺杂、缺陷的工艺控制；物理、化学性质评价；

3) 宽禁带半导体材料核心制造设备：包括SiC及其他宽禁带半导体单晶和外延生长设备的温场、气流场模拟，机械结构设计和自动化控制设计，以及设备制造；