参加第一届亚太碳化硅及相关材料会议

   2018年7月9号参加了在北京举办的第一届亚太碳化硅及相关材料会议，本次会议由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中科院物理所和北京硅酸盐学会发起并主办第一届亚太碳化硅及相关材料国际会议,此次会议主要围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流。

本次会议涉及的报告内容较多、领域较广，为了掌握本专业的知识，同时了解客户端的需要有针对地聆听以下主要报告:

1、宽禁带碳化硅半导体晶体研究及产业化------陈小龙

2、SiC器件在轨道交通中的应用前景------刘国友

3、X射线在碳化硅晶体检测中的实际应用------甄 伟

4、4H-SiC中三角形缺陷结构及成因研究进展-----孙国胜

5、4H-SiC功率DMOSFETS的进展------柏松

6、降低4H-SiC外延层中的形态缺陷-------李忠辉

7、SiC器件在未来电网中的应用--------邱宇峰

8、SiC电力半导体器件在电动汽车上的应用-------滨田公守