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N型4H-SiC衬底材料
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产品描述
详细参数
销售热线
利用自主合成的高纯碳化硅粉料生长的4英寸N型4H-SiC衬底，4英寸N型4H-SiC衬底达到8000片/年。
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晶圆电阻率：0.01Ω•cm~0.03Ω•cm
晶圆的半峰宽：≤20arcsec
微管密度：<1个/cm2
电话：0351-6520191
邮箱：unimoss@cetc2.com
地址：中国•山西和平南路115号
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高纯4H-SiC衬底材料
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