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高纯4H-SiC衬底材料
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产品描述
详细参数
销售热线
利用自主研制的碳化硅单晶生长设备和自主研制的高纯粉料进行高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底的制备,4英寸高纯4H-SiC衬底达到2000片/年。
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电阻率:均≥1010Ω•cm
半峰宽:均≤30arcsec
微管密度:<1个/cm2
电话:0351-6520191
邮箱:unimoss@cetc2.com
地址:中国•山西和平南路115号
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N型4H-SiC衬底材料
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