邹城高纯4H-SiC衬底材料
利用自主研制的碳化硅单晶生长设备和自主研制的高纯粉料进行高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底的制备，4英寸高纯4H-SiC衬底达到2000片/年。
类别：
产品描述
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