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我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所（简称中国电科二所）生产大楼内，100台碳化硅（SiC）单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。   中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己能生产了。”   SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导

2018-07-06

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