N型4H-SiC衬底材料

利用自主合成的高纯碳化硅粉料生长的4英寸N型4H-SiC衬底,4英寸N型4H-SiC衬底达到8000片/年。

高纯4H-SiC衬底材料

利用自主研制的碳化硅单晶生长设备和自主研制的高纯粉料进行高纯半绝缘4H-SiC单晶衬底的制备,4英寸高纯4H-SiC衬底达到2000片/年。
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